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第一百五十二章 巨大差距（第3页）

其次，设备和材料也是一大短板。

制造芯片的三大设备光刻机、蚀刻机和薄膜沉积，国内仅中微半导体的介质蚀刻机能跟上行业节奏，其7纳米设备已入围台积电名单。

此外，北方华创在氧化炉和薄膜沉积设备上成绩不俗，但基本还处于28纳米级别。其他设备，如离子注入机、抛光机和清洗机，也差不多。

差距最大的是光刻机。

光刻机用于将设计好的电路图曝光在硅片上，蚀刻机则负责微观雕刻，刻出沟槽或接触孔。

目前ASML最先进的EUV光刻机，即将投入三星、台积电的7纳米工艺，而国内江城微电子的光刻机，仍停留在90纳米量产的水平，不过目前江城微电子已经成功研制22nm光刻机，22nm量产的问题也只是时间问题了。

从90nm到22nm，再到14nm，这无疑是一个巨大的突破，虽然和现在最顶尖的5nm还有不小的差距，但至少让人看到了希望，在不断的追赶。

而在芯片制造的材料方面，小日子国是全球领先者。

在制造芯片的19种主要材料中，小日子国有14种位居全球第一，总份额超过60%。全球近七成的硅晶圆产自它，那是芯片制造的根基。

反观我国，硅晶圆几乎是空白，8英寸国产率不足10%，12英寸依赖进口。

除了硅晶圆，国内企业还在溅射靶材、研磨液等材料上有所突破，并实现了国产化。前者用于制作金属导线，后者用于芯片研磨抛光。

以上均为单点突破，距离整个行业的崛起还比较远。

芯片制造，国内最先进的是中芯国际和夏门联芯，目前能做到28纳米量产。而它们的竞争对手，三星、台积电等巨头即将在今年量产7纳米，相差两三代。

以上是涉及和制造上的差距，最后是封测。

封测这是目前大陆最接近国际水平的领域，长电科技收购新加坡星科金朋后，跻身全球第三。但全球封测中心在湾省。

而除了设计、制造、封测等等之外，还有整个大环境的影响、不友好的产业环境等等，都是很大的问题。

综合看下来，在这个庞大的产业里，华夏还有很长的一段路要走，得要做的事情还有很多很多。

林奇大体上对芯片，乃至半导体这一块有了个大致的了解后，他心里面也明白了自己需要发力的地方在哪。

“第一，是芯片设计的架构方面。”

在芯片设计环节，主要涉及到了EDA软件和IP核。

EDA软件就是设计芯片的软件工具，是整个芯片行业里面最上游的一个产业。

如果没有这个工具，那芯片的设计工作就将无法完成，自然也就不会再有后续的制造、封测等环节。

所以EDA被称为‘芯片之母’。

想想都很好理解，先进一点的芯片，要在指甲盖大小的空间里，要集成几十上百亿晶体管，几十层电路，没有EDA那就肯定是很难设计出来的。

即便是不用EDA也能设计，但成本也是无法承受的。

有教授就测算过，5nm的芯片，没有EDA，设计成本77亿美元，有了EDA，设计成本只要4000万美元，相差约200倍。

由此可想而知，EDA软件的重要性。

而这也是真正被漂亮国卡住命门的地方。

因为目前市场上最大的、最先进的EDA软件提供产商，都是出自漂亮国。

高端EDA工具，目前由entor三家漂亮国公司垄断。

而在华夏市场，这三家EDA软件公司更是占据了95%的市场份额。

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